东吴证券：国产HBM产业链迎打破窗口期 设备环节弹性显着

  智通财经APP得悉，东吴证券发布研报称，当时算力需求迸发叠加外部对HBM在带宽等环节的控制，正加快影响国产HBM的打破和供给。国产存储大客户HBM3现已过验证，底层DDR5颗粒制作才能合格，估计下半年完成量产打破，相关设备厂商已连续取得TCB、CMP等环节订单。设备环节引荐获益较多的精智达(688627.SH)，其订单弹性最大。

  算力需求迸发，叠加外部对HBM在带宽等环节的控制，将影响国产HBM的打破和供给

  周五受国产存储大客户的HBM3经过验证的音讯影响，精智达、芯源微等中心标的涨幅显着。国产存储大客户现已具有DDR5颗粒的制作才能，传输速率等中心目标现已达到，仅仅现在在散热和能耗等方面还有提高空间。HBM3的底层存储颗粒具有量产条件。且现已有部分设备公司拿到了HBM相关的TCB和CMP等订单，国产HBM扩产确实定性在快速加强。

  现在各个要害工序如TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机均完成国产或较简单买到，颗粒具有量产条件+各要害工序的设备处于ready状况，该行以为国产HBM的打破将落在本年下半年!预期本年HBM的扩产量级有望完成5000片的8层晶圆。扩产将为TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机(专指HBM专用CP测试机—KGSD)环节别离带来1.6亿、10亿、6亿、4亿、7亿的订单增量。

  HBM扩产需求底层的DRAM颗粒，现在商场预期此次HBM扩产量级为5000片的8层晶圆，则对应4万片的底层DDR5扩产，对应约350亿的设备本钱开支增量。对刻蚀、薄膜堆积、清洗、CMP等环节别离带来85亿、70亿、16亿、11亿的商场增量。其他前道设备也将获益。